Przejdź do menu Przejdź do treści

Mgr Tomasz Stachurski współautorem prestiżowej publikacji w czasopiśmie Small

Miło nam poinformować, że mgr Tomasz Stachurski, Asystent w Katedrze Statystyki, Ekonometrii i Matematyki, jest współautorem artykułu naukowego pt. “Enhancing GaN Nanowires Performance Through Partial Coverage with Oxide Shells”. Publikacja ukazała się w prestiżowym czasopiśmie Small wydawanym przez Wiley-VCH.

Czasopismo znajduje się na liście Journal Citation Reports (tzw. lista filadelfijska) ze wskaźnikiem Impact Factor IF: 13,0 oraz posiada 200 pkt w wykazie czasopism naukowych MNiSW. Publikacja została doceniona przez recenzentów, którzy wyróżnili ją poprzez umieszczenie na okładce bieżącego numeru czasopisma.

Artykuł jest efektem współpracy z naukowcami z Politechniki Wrocławskiej oraz Instytutu Fizyki PAN w Warszawie. W swojej pracy badacze zaprezentowali nowatorski sposób na zwiększenie wydajności nanodrutów opartych na azotku galu (GaN) poprzez częściowe pokrycie ich powierzchni warstwami tlenków. Wyniki badań mają również istotne implikacje dla dyscypliny ekonomii i finansów. Dzięki swoim właściwościom, nanodruty GaN mogą stać się nowym standardem w technologii oświetleniowej, co przyczyni się do zmniejszenia kosztów eksploatacji systemów oświetlania. Ma to bezpośrednie znaczenie dla obniżenia zużycia energii na poziomie makroekonomicznym, co wspiera realizację celów polityki zrównoważonego rozwoju.

Wkład mgr Tomasz Stachurskiego w artykuł obejmował m.in. zaproponowanie i implementację metod wnioskowania statystycznego do analizy wpływu powłok tlenkowych na właściwości nanodrutów GaN. To dzięki wykorzystaniu odpowiednich metod statystycznych możliwe było uchwycenie subtelnych zmian strukturalnych i właściwości nanodrutów mających miejsce w skali atomowej.

Poniżej zamieszczamy pełny opis bibliograficzny publikacji wraz linkiem do artykułu opublikowanym w ramach otwartego dostępu: R. Szymon, E. Zielony, M. Sobanska, T. Stachurski, A. Reszka, A. Wierzbicka, S. Gieraltowska, Z. R. Zytkiewicz, Enhancing GaN Nanowires Performance Through Partial Coverage with Oxide Shells. Small 2024, 20, 2401139. Link do artykułu. 

Dołącz do nas

Akredytacje i partnerzy

logotyp hr
logotyp bauhaus4
logotyp efmd
logotyp ceeman
logotyp eaie
logotyp cima
logotyp acca
logotyp ela
logotyp SAP University Alliances
logotyp progres3